Verschiedene Speicherschaltungen

Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 4.9x3.9mm. Taktsignal: 86 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8L (150mil). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V

Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 5.23x5.28mm. Taktsignal: 86 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8L (200mil). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Funktion: spec. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8

Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

Hinweis: VDD 2.5V...6V

Maximaler Dauerstrom: 110mA. Hinweis: lowest address sector protected. Hinweis: Page Mode Flash Memory featuring. Anzahl der Terminals: 64. Abmessungen: 11x13mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: MirrorBit-Prozesstechnologie. Gehäuse: BGA. Gehäuse (laut Datenblatt): „LAA064 Befestigtes Ball Grid Array“. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Versorgungsspannung: 4 v

Hinweis: uC-IC

Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: Dual Mode Serial Eeprom. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP24S. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 24. Speichertyp: Dualport RAM. Speicherschaltkreisfamilie: uPD41. Speichergröße [Byte]: 256 Kbit. Speicherkonfiguration: 256K x 1-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 120ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Hinweis: SAMSUNG. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8