Verschiedene Speicherschaltungen

Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: max. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

Hinweis: CHASS. Hinweis: X089 version. Hinweis: 24LC08B+PROG

Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: max. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Funktion: EEPROM Serial - I2C 128K-bit 16K x 8. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: max. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Versorgungsspannung: 5V

Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: DUAL MODE. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

EEPROM -Gedächtnis: 32Kx8 ( 256K bit ). Funktion: serieller Bus-CMOS-EEPROM-Speicher, geringer Verbrauch. Anzahl der Terminals: 8:1. Taktsignal: 400kHz. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Funktion: serieller Bus-CMOS-EEPROM-Speicher, geringer Verbrauch. Anzahl der Terminals: 8:1. Taktsignal: 400kHz. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Funktion: serieller Bus-CMOS-EEPROM-Speicher, geringer Verbrauch. Äquivalente: 24LC32AT-I/SN. Anzahl der Terminals: 8:1. Taktsignal: 400kHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5V...5.5V

EEPROM -Gedächtnis: 64Kx8 ( 512K bit ). Funktion: serieller Bus-CMOS-EEPROM-Speicher, geringer Verbrauch. Anzahl der Terminals: 8:1. Taktsignal: 400Khz Vcc >2.5V <5.5V. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

EEPROM -Gedächtnis: 64Kx8 ( 512K bit ). Funktion: serieller Bus-CMOS-EEPROM-Speicher, geringer Verbrauch. Anzahl der Terminals: 8:1. Taktsignal: 400kHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8 ( 3.9x4.9mm ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4L64T. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4L64T. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: max. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: MSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): MSOP-8 ( 3x3mm ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Versorgungsspannung: 6.5V

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: max. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Versorgungsspannung: 6.5V

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: max. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8 ( 3.9x4.9mm ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Versorgungsspannung: 6.5V

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4LB. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4LB. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: max. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TSSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSSOP-8 ( 3x4.4mm ). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Versorgungsspannung: 6.5V

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 7GNN. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 7GNN. Anzahl der Terminals: 5. RoHS: ja. Spec info: max. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-5. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-5. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Versorgungsspannung: 6.5V

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Speichertyp: EPROM - OTP. Speichergröße: 128kx8. Schnittstelle: Parallel. Zugriffszeit: 70ns. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: PLCC32

Hinweis: letzte verbliebene Teile aus eingestellter Produktion (veraltet). Hinweis: müssen vor einer Neuprogrammierung gelöscht werden. Spec info: Herkunft mehrerer Hersteller, z.B, Intel, NEC

Hinweis: Prog. Anzahl der Terminals: 32. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: UV-DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): FDIP-32W

Funktion: CMOS, OTP EPROM. Hinweis: 100uA Max Standby. Hinweis: 25mA Max Active at 5MHz. Äquivalente: AT27C010-70JU-T. Anzahl der Terminals: 32. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: PLCC. Gehäuse (laut Datenblatt): PLCC-32. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Versorgungsspannung: 5V

Hinweis: CMOS. Anzahl der Terminals: 32. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-32

Hinweis: CMOS OTP. Anzahl der Terminals: 32. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: PLCC. Gehäuse (laut Datenblatt): PLCC-32

Funktion: OTP-EPROM. Anzahl der Terminals: 28. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Funktion: OTP-EPROM. Hinweis: 256 Kbit (32Kb × 8). Anzahl der Terminals: 32. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: PLCC. Gehäuse (laut Datenblatt): PLCC-32. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 5V

Hinweis: UV-EPROM. Anzahl der Terminals: 28. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: UV-DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): CERDIP-28