BSP100

BSP100. C(in): 250pF. Kosten): 88pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 8.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 14:25.