Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BSS123

BSS123
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2 - 2 0.32€ 0.38€
3 - 4 0.30€ 0.36€
5 - 9 0.29€ 0.35€
10 - 24 0.27€ 0.32€
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BSS123. C(in): 23pF. Kosten): 6pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 600mA. ID (T=25°C): 150mA. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 21:25.

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Gleichwertige Produkte :

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BSS123-ONS

BSS123-ONS

C(in): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp:...
BSS123-ONS
C(in): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 680mA. ID (T=25°C): 170mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Modus zur Verbesserung des Feldeffekttransistor-Logikpegels. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 680mA. ID (T=25°C): 170mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Modus zur Verbesserung des Feldeffekttransistor-Logikpegels. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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