Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Spec info: TO18

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 3000. Kollektorstrom: 0.4A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC517

RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC517. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 30000. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC516. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC517. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC517. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Kollektorstrom: 1.2A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 30V. Leistung: 0.625W. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 30000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC516

Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Gehäuse: TO-92. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC546B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 0.2A. Leistung: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 65V. Kollektorstrom: 0.1A. Leistung: 0.5W. Gehäuse: TO-92

Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Planartransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC557A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC547B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Planartransistor“. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC557B

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC547B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): TO-226. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 270. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Planartransistor“. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC557C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC547C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC547C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC547C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC558B

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC548B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC548C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v