Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0590€ | 0.0702€ |
10 - 24 | 0.0560€ | 0.0666€ |
25 - 49 | 0.0531€ | 0.0632€ |
50 - 99 | 0.0501€ | 0.0596€ |
100 - 249 | 0.0472€ | 0.0562€ |
250 - 499 | 0.0403€ | 0.0480€ |
500 - 17530 | 0.0376€ | 0.0447€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.0590€ | 0.0702€ |
10 - 24 | 0.0560€ | 0.0666€ |
25 - 49 | 0.0531€ | 0.0632€ |
50 - 99 | 0.0501€ | 0.0596€ |
100 - 249 | 0.0472€ | 0.0562€ |
250 - 499 | 0.0403€ | 0.0480€ |
500 - 17530 | 0.0376€ | 0.0447€ |
BC546B. RoHS: ja. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.
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