NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 30 v - BC517

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 30 v - BC517. NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 30000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC516. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 06:25.