Transistoren

Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-18. Kosten): 4.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V

Kosten): 4.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 80pF. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: für mittlere Leistung und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO39. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC161-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 180pF. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: 1A. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): +175°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC141. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kollektorstrom: 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 240. Kollektorstrom: 0.1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 240. Kollektorstrom: 0.1A. Hinweis: ( E,C,B ). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 6V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V

Gehäuse: TO-92. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC212BG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 280 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.2A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: BC237/25

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC237BG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 120V. Kollektorstrom: 0.5A. Leistung: 0.85W. Max Frequenz: 120MHz. Gehäuse: TO-39

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Leistung: 0.85W. Max Frequenz: 120MHz. Gehäuse: TO-39

Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -60V. C(in): -0.5A. Kosten): 0.85W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.65 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. VCBO: 85V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.65 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 7V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: C32716. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 260 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor