NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V - BC141-16

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V - BC141-16. NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 80pF. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: für mittlere Leistung und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC161-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 09:25.