Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC212B

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC212B
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC212B. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 12:25.

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