Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC2412

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2SC2412. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kollektorstrom: 0.15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BQ. Temperatur: +155°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 400mV. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BQ. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1037. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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