NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V - 2SC2240GR

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V - 2SC2240GR. NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C224GR. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA970GR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 23:25.