Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.42€ | 4.07€ |
5 - 9 | 3.25€ | 3.87€ |
10 - 13 | 3.07€ | 3.65€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.42€ | 4.07€ |
5 - 9 | 3.25€ | 3.87€ |
10 - 13 | 3.07€ | 3.65€ |
2SC4770. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf (Typ): 0.1us. Gehäuse: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3PML. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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