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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC558B

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC558B
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC558B. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Umschaltung und NF-Verstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Lge Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 18:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC557B. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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