NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V - 2SB1143

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V - 2SB1143. NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 39pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V. Funktion: NF/SL. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1683. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.