Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, 30A - MJ11015G

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NPN-Transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, 30A - MJ11015G. NPN-Transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Kollektorstrom: 30A. RoHS: ja. Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11016. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 12:25.

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