Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFP460

IRFP460
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2 - 2 5.79€ 6.89€
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5 - 9 5.18€ 6.16€
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IRFP460. C(in): 4200pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Ausverkauft
2SK1170

2SK1170

C(in): 2800pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Dio...
2SK1170
C(in): 2800pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. G-S-Schutz: ja
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