NPN-Transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD238

NPN-Transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD238. NPN-Transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Audio-, Leistungslinear- und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD237. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics, On Semiconductor (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 00:25.