BD139

BD139. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD139. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.