Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V - TT2190LS

NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V - TT2190LS
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NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V - TT2190LS. NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Originalprodukt vom Hersteller Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.

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NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V
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