Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V - IRFP140N

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N-Kanal-Transistor, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V - IRFP140N. N-Kanal-Transistor, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 04:25.

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N-Kanal-Transistor, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 31A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.51 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 131W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET
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