NPN-Transistor, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V - 2N1711

NPN-Transistor, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V - 2N1711. NPN-Transistor, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 18:25.