N-Kanal-Transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V - ZXMN7A11GTA

N-Kanal-Transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V - ZXMN7A11GTA. N-Kanal-Transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 70V. C(in): 298pF. Kosten): 35pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller Diodes Inc.. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 14:25.