N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 8A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 600V, 2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFRC20PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 137 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Advanced Power MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 6.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Gate-Ladung (typisch 22 nC), niedriger Crss. Id(imp): 26A. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 5.8A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Advanced Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 1500pF. Kosten): 178pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, I-PAK, 60V, 14A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: I-PAK. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFU024NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 4.3A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 17A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET® Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 500V. C(in): 360pF. Kosten): 92pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-251AA, 500V, 2.4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251AA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFU420PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 33 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 360pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-251AA, 200V, 24A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251AA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFU4620PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25.4 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1710pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 144W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 8A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 17A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ24NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZ24NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 700pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 57 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 100A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ34NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0175 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 94W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ44NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1470pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17.5m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 94W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZ44NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1470pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 94W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 16.5m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1812pF. Kosten): 393pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 115W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V