N-Kanal-Transistor, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRFZ44NS

N-Kanal-Transistor, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRFZ44NS. N-Kanal-Transistor, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17.5m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 63 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 94W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 17:25.