N-Kanal-Transistor, 500V, 8A, 0.85 Ohms, TO-220, 500V - IRF840PBF

N-Kanal-Transistor, 500V, 8A, 0.85 Ohms, TO-220, 500V - IRF840PBF. N-Kanal-Transistor, 500V, 8A, 0.85 Ohms, TO-220, 500V. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V. Herstellerkennzeichnung: IRF840PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 8A. Leistung: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 21:25.