N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Feldeffekttransistor MOS II.5. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-Kanal-Transistor, 3.2A, 5.5A, 5.5A, 1.2 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 5.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Spannung Vds(max): 400V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC-DC-Spannungswandler. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 250V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K1393. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 150 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 675pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 2.5A, 5A, 5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

N-Kanal-Transistor, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 3.6A. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3BP. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1461. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, 21F1B, 1 kV, 12A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: 21F1B. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SK1489. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 140 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1200pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1507. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 1mA. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 180V. C(in): 700pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochleistungsverstärkeranwendung. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1529. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekt-Silizium-N-Kanal-MOS-Typ. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SJ200. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4A, 8A, 8A, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series

N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 690pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High-Speed. Id(imp): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: V-MOS. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 400pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2043. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. ID (T=25°C): 20mA. IDSS (max): 12mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 20V. C(in): 4pF. Kosten): 4pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: FM-Tuner-Anwendungen. IDss (min): 0.6mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7A, 8A, 8A, 0.4 Ohms, 200V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 24A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MOSFET-Transistor

N-Kanal-Transistor, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS-L

N-Kanal-Transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series

N-Kanal-Transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series

N-Kanal-Transistor, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1100pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 155 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Autoelektronik. Id(imp): 108A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2314. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140us. Td(on): 30us. Technologie: Leistungs-Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 3A, 6A, 6A, 2 Ohms, 700V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 6A. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Spannung Vds(max): 700V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Technologie: V-MOS (F). Hinweis: 70/160ns. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Kosten): 700pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2372. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. C(in): 3600pF. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 7.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.42 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 3mA, 14mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 3mA. IDSS (max): 14mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kanaltyp: N. IDss (min): 6mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K246BL. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gate/Source-Spannung Vgs: -30V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 6V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) 2SJ103

N-Kanal-Transistor, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochspannungsschaltanwendungen. Id(imp): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 63 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.046 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 50V. C(in): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2507. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (L2-TT-MOSV). Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: ja