Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529

N-Kanal-Transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529
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N-Kanal-Transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529. N-Kanal-Transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 1mA. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 180V. C(in): 700pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochleistungsverstärkeranwendung. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K1529. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekt-Silizium-N-Kanal-MOS-Typ. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SJ200. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 08:25.

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ECX10N20

ECX10N20

N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO...
ECX10N20
N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10P20. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS
ECX10N20
N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10P20. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS
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