Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2043

N-Kanal-Transistor, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2043
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N-Kanal-Transistor, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2043. N-Kanal-Transistor, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 400pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2043. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 15:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 20uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 750pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET SMPS. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V
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