Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-FAI

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-FAI
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NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-FAI. NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE2955T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 20:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE3055T. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE2955T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V
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