IRF3205S

IRF3205S. C(in): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Fortschrittliche Prozesstechnologie“. Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250nA. IDss (min): 25nA. Äquivalente: IRF3205SPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.