Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BS107

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BS107. C(in): 85pF. Kosten): 20pF. Kanaltyp: N. Dioden-Tff (25 °C): 8 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 2A. ID (T=25°C): 120mA. IDSS (max): 30nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS107. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: L...
BS107ARL1G
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BS107A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BS107A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1
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