Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF9540. C(in): 1400pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 34 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 16:25.

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IRF9540N

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