Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.60€ | 3.09€ |
5 - 9 | 2.47€ | 2.94€ |
10 - 24 | 2.39€ | 2.84€ |
25 - 49 | 2.34€ | 2.78€ |
50 - 99 | 2.29€ | 2.73€ |
100 - 119 | 2.05€ | 2.44€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.60€ | 3.09€ |
5 - 9 | 2.47€ | 2.94€ |
10 - 24 | 2.39€ | 2.84€ |
25 - 49 | 2.34€ | 2.78€ |
50 - 99 | 2.29€ | 2.73€ |
100 - 119 | 2.05€ | 2.44€ |
N-Kanal-Transistor, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405. N-Kanal-Transistor, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0046 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 5480pF. Kosten): 1210pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 88 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 680A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.