Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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HSD1609-D

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HSD1609-D. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 160...320. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) HSB1109. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 06:25.

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