Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

2SA985

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2SA985. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2275. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

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