Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 120V - 2SC1845

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 120V - 2SC1845
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NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 120V - 2SC1845. NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 580. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: KSC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Samsung--0501-000354. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 10:25.

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KSC1845-F

KSC1845-F

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse ...
KSC1845-F
NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: 2SC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA992. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
KSC1845-F
NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: 2SC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA992. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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2SA999
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