Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC1845

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2SC1845. Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 580. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: KSC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: 2SC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA992. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: 2SC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA992. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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