P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -3.9A - IRF7316PBF

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -3.9A - IRF7316PBF. P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, -30V, -3.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7316. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 710pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.