P-Kanal-Transistor, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA - FDS9435A

P-Kanal-Transistor, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA - FDS9435A. P-Kanal-Transistor, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 100nA. RoHS: ja. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. C(in): 528pF. Kosten): 132pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 14 ns. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 11:25.