Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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GBU4J. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: NINCS. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 150A. Äquivalente: KBL406, RS406, RS406G. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 22x19x3.3mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 4. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Ifsm 150Ap (t=8.3ms). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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