Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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GBU4J. VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Dreiphasig: NINCS. IFSM: 150A. Äquivalente: KBL406, RS406, RS406G. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08mm. Abmessungen: 22x19x3.3mm. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 19:25.

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VRRM: 1000V. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RS407. Abmessungen der Anschlüsse: 5.08x5.08mm. Anzahl der Terminals: 4. Abmessungen: 19x16x6mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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