Menge (Set mit 10) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 1.37€ | 1.63€ |
2 - 2 | 1.30€ | 1.55€ |
3 - 4 | 1.23€ | 1.46€ |
5 - 9 | 1.16€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.30€ |
25 - 49 | 1.03€ | 1.23€ |
50 - 298 | 0.83€ | 0.99€ |
Menge (Set mit 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.37€ | 1.63€ |
2 - 2 | 1.30€ | 1.55€ |
3 - 4 | 1.23€ | 1.46€ |
5 - 9 | 1.16€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.30€ |
25 - 49 | 1.03€ | 1.23€ |
50 - 298 | 0.83€ | 0.99€ |
BSS123-ONS. C(in): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 680mA. ID (T=25°C): 170mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Modus zur Verbesserung des Feldeffekttransistor-Logikpegels. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 00:25.
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