FDC642P-F085

FDC642P-F085. C(in): 630pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 250uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code FDC642P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDC642P. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 1.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SSOT. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Lastschalter, Batterieschutz. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 03:25.