Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD680-DIV. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 14:25.

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Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Grenzfrequenz ft [MHz]: NF-L. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Leistung: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681
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RoHS: ja. Widerstand B: ja. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Kollektorstrom: 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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