Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N2222A-PL

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2N2222A-PL. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 0.8A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2N2907A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 09:25.

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