Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A - BD680

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A - BD680
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A - BD680. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD680. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 27/07/2025, 16:25.

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BD682

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NPN-Transistor, 100V, 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleis...
BD682
NPN-Transistor, 100V, 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681. Transistortyp: PNP. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 750
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NPN-Transistor, 100V, 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681. Transistortyp: PNP. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 750
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BD680-DIV

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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-2...
BD680-DIV
NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP
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