Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD679A

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NPN-Transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD679A. NPN-Transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD680A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.

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NPN-Transistor, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 4A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 40W. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD682
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