Diode 1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Vorwärtsstrom (AV): 0.15A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. IFSM: 0.45A. Vorwärtsstrom [A]: 0.3A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Cj: 4pF. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 2A. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Siliziumdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..5uA. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. Maximale Temperatur: +150°C.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Trr-Diode (Min.): 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 10/12/2025, 05:20