Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-P-MOSFET-Transistorpaar

MOSFET-Transistor AP4506GEH

MOSFET-Transistor AP4506GEH
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MOSFET-Transistor AP4506GEH. MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: ID(AV)--N--9A P--8A. Hinweis: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Hinweis: Vdss 30V (N), -30V (P). Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 14:25.

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