N-P-MOSFET-Transistorpaar

AF4502C

MOSFET-Transistor AF4502C. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse:...

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AP9930GM

MOSFET-Transistor AP9930GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge p...

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APM4546J

MOSFET-Transistor APM4546J. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Ge...

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BSS8402DW

MOSFET-Transistor BSS8402DW. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-363. Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KNP. Kanal...

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FDS4559

MOSFET-Transistor FDS4559. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-...

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FDS8958A

MOSFET-Transistor FDS8958A. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/In...

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FDS8958B

MOSFET-Transistor FDS8958B. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 760pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). G-S-Schutz: nein. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Geh...

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FDS8962C

MOSFET-Transistor FDS8962C. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanalty...

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FMY4T148

MOSFET-Transistor FMY4T148. Funktion: Y4. Gehäuse (laut Datenblatt): SMT5. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y4. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil...

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HGTG30N60B3D

MOSFET-Transistor HGTG30N60B3D. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min...

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MOSFET-Transistor HGTG40N60B3. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min....

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IRF7319

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IRF7343

MOSFET-Transistor IRF7343. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 24/26nC. Drain-Source-Spannung: 55/-55V. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gate-Source-Spannung:...

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MOSFET-Transistor IRF7389. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro ...

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MOSFET-Transistor STS4DNF30L. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmont...

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STS5DNF20V

MOSFET-Transistor STS5DNF20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: STripFET™ II Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenm...

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MOSFET-Transistor STU309D. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Funktion: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Gehäuse: D-PAK ( TO-...

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