Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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2SC4388. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1673. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.

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Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1294. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO–3PBL. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21193. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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